抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致（）

抑制性突触后电位（Inhibitory postsynaptic potential, IPSP）是突触前膜释放抑制性递质（抑制性中间神经元释放的递质），导致突触后膜主要对Cl通透性增加，Cl内流产生局部超极化电位，突触后膜在递质作用下发生超极化，使该突触后神经元的兴奋下降，这种电位变化称为抑制性突触后电位（IPSP）。其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜，使后膜上的配体门控CI 通道开放，引起CI 内流，突触后膜发生超极化。

突触后膜，意思是是邻近间隙的次一级神经元或效应器细胞上的膜，骨骼肌细胞的突触后膜也称终板膜。突触后膜是邻近间隙的次一级神经元或效应器细胞上的膜，骨骼肌细胞的突触后膜也称终板膜。

离子是指原子或原子基团失去或得到一个或几个电子而形成的带电荷的粒子。这一过程称为电离。电离过程所需或放出的能量称为电离能。在化学反应中，金属元素原子失去最外层电子，非金属原子得到电子，从而使参加反应的原子或原子团带上电荷。带电荷的原子叫做离子，带正电荷的原子叫做阳离子，带负电荷的原子叫做阴离子。阴、阳离子由于静电作用而形成不带电性的化合物。与分子、原子一样，离子也是构成物质的基本粒子。如氯化钠就是由氯离子和钠离子构成的。