那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
简述直拉法生长单晶硅的工艺过程,并说明每个步骤各自有什么作用?
集成电路用单晶硅的主要制备方法是()
如果在单晶硅中分别掺入10 15/cm 3的磷和10 15/cm 3的硼,试计算300K时,电子占据杂质能级的概率。根据计算结果检验常温下杂质几乎完全电离的假设是否正确。
用单晶硅材料制成的膜盒式电容气压传感器具有()特点。
直拉法生长单晶硅要经过()六个阶段。
单晶硅生长常用()和()两种生长方式,生长后的单晶硅被称为()。
下列选项中,对从石英到单晶硅的工艺流程是()
单晶硅晶胞常数为0.543nm,则(111)的面间距是多少?()
有两块单晶硅样品,它们分别掺有10 15cm -3的硼和磷,试计算300K时这两块样品的电阻率,并说明为什么N型硅的导电性比同等掺杂的P型硅好。