MOSFET管的全称是金属-氧化物-半导体场效应管,其最重要的特点是();
某个GaAsFET射频放大电路使用的场效应管的参数为
该放大电路是否稳定?
电路如图所示,场效应管的g m=11.3ms,r ds忽略不计。试求共漏放大电路的源电压增益
、输入电阻R i和输出电阻R o。
图所示场效应管工作于放大状态,r ds忽略不计,电容对交流视为短路。跨导为g m=1ms。 (1)画出电路的交流小信号等效电路; (2)求电压放大倍数
和源电压放大倍数
; (3)求输入电阻R i和输出电阻R o。
场效应管是电压放大器件。
1)试比较射频场效应管与射频双极型晶体管结构和特性上的差异。 2)试讨论晶体管小信号模型和大信号模型的主要区别。请问能否使用晶体管大信号模型分析射频小信号。
功率场效应管的三个引脚中栅极相当于晶体管的()
采用场效应管FET的混频器比采用双极型管的混频器,产生的组合频率更()。
源极输出器电路如图所示,已知场效应管在工作点上的互导g m=0.9ms,r ds忽略不计,其他参数如图中所示。求电压增益
、输入电阻R i和输出电阻R o。
半导体三极管与场效应管的一重要区别是什么?