MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的()、前者的饱和区对应后者的()、前者的非饱和区对应后者的()。
晶体管共发射极放大电路电压放大倍数较小。
如图所示为共发射极单管电压放大电路,估算静态点的IB、IC、UCE分别为()。
RC相移振荡器是用三级RC相移电路使输出信号相移()多少后进入放大器输入端时,由于共发射极放大器输出信号与输入信号反相,因此产生正反馈,满足振荡条件。
图7-5-5所示为共发射极单管电压放大电路,估算静态点,IB、IC、UCE分别为( )。[2012年真题]
图7-5-5
共发射极电路特点是电压和功率放大倍数以及稳定性与频率特性较()
共发射极电路特点是电压和功率放大倍数以及稳定性与频率特性较()
RC相移振荡器是用三级RC相移电路使输出信号相移()后进入放大器输入端时,由于共发射极放大器输出信号与输入信号反相,因此产生正反馈,满足振荡条件。
图7-5-9所示为共发射极单管电压放大电路,估算静态点,IB、IC、VCE分别为( )。[2012年真题]
图7-5-9
晶体管共发射极放大电路电流放大倍数较小。